2017年世界主要国家射频集成电路市场占比

2018-08-08 01:11阅读:84

作者 : 千讯咨询   来源 / 本站原创

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世界主要国家射频集成电路市场主要集中在日本、美国等发达国家。其中Qorvo、Skyworks、新博通、Muruta(村田)四家几乎占据了全球射频领域80%的市场份额。千讯咨询发布的中国射频集成电路市场前景调查分析报告显示,2017年世界主要国家射频集成电路市场占比情况如下图所示:

全球射频集成电路行业发展趋势分析:

(1)5G通讯带来新的增长机遇

展望未来,4G的渗透率尚未饱和,渗透率提升将继续驱动射频集成电路价值量增长。另外 5G通讯为射频集成电路行业带来新的增长机遇,一方面射频模块需要处理的频段数量大幅增加,另一方面高频段信号处理难度增加,系统对滤波器性能的要求也大幅提高。在物联网应用推动下,未来全球无线连接数量将成倍的增长。预计到2020年,全球实现无线连接的终端设备数量超过250亿个。快速增长的无线通信市场的巨大需求也造成了对射频集成电路的需求。原来的混合电路由于不能满足低成本、低功耗和高容量的要求,而必然要被集成度越来越高的集成电路所取代,并最终形成单元射频收发机芯片。

(2)器件特征尺寸减小

随着信息技术与材料工程技术的发展,射频集成电路器件的特征尺寸将逐步实现物理极限的突破,呈现出物理尺寸逐渐减小、性能和稳定性逐渐增加的发展趋势,未来将可能出现从微米到纳米再到亚纳米、超纳米的尺寸等级。这种射频集成器件的体积减小将使得电路的集成度更高,制造工艺更加复杂,同时对于芯片质量的需求也越来越高,将极大地推动便携式智能设备的发展和推广。据国际半导体技术发展协会估计,未来特征尺寸为22mm的CMOS电路以及实际栅长为9mm的MPU将会实现。

(3)新材料和新器件的出现

未来随着射频集成电路芯片特征尺寸的不断减小,芯片的集成度越来越高,同时体积也越来越小,对材料的性能要求也在不断提升,这种射频集成芯片的性能突破将迫使新材料和新器件的不断涌现,也必将极大地提升射频集成芯片的技术水平。

2004年,锐迪科(RDA)的成立掀起手机射频器件领域的第一次革命,带领中国本土公司开始攻克欧美厂商完全主导的射频器件领域,在GSM手机上采用CMOS工艺替代GaAs的功率放大器,并成功量产,为用户降低成本并提升了集成度,但是被拦在了LTE/4G门前。

2006年,黄风义团队在射频芯片元件模型领域取得突破性进展,其针对电感等元件开创特征函数法用于电感模型参数提取和结构优化,研究成果发表在国际集成电路领域权威期刊《固态电路杂志》(IEEE JSSC)及微电子领域权威期刊《电子器件快报》(IEEE EDL),并被中文核心期刊《科技导报》评选为2006年度"中国重大科学进展"。

2009年2月,在科技部国家高技术研究发展计划(863计划)项目的支持下,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室闵昊教授和唐长文副教授率领RFIC小组科研人员解决了宽带频率综合器芯片设计方面多个难题,实现了一款具有环路带宽恒定,快速锁定和极低相位噪声性能的射频频率综合器芯片。同时,其博士生卢磊的科研论文"A 975 to 1960 MHz,Fast-Locking Fractional-N Synthesizer with Adaptive Bandwidth Control and 4/4.5 Prescaler for DTV Tuners"在美国旧金山市召开的国际固态电路会议上报告,该论文是复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验首篇被国际固态电路会议采纳的文章,是实验室在射频集成电路设计方面的一次具有程碑性质的重大突破。

2010年左右,诞生了Vanchip、汉天下、中普微电子等在3G射频前端比较成功的公司,但是后两者也被挡在了LTE/4G门前,Vanchip在3G时代大获成功。

2012年,广州智慧微电子采用了全新的"可重构"的架构:SOI(绝缘体硅)+GaAs的方式来实现多频多模RF前端器件的集成,其4G射频前端产品已被中兴和一些白牌厂商开始采用。随着SOI的成熟与渐行渐行热,其架构正在被越来越多的客户所认可,这种新的架构在集成度上比传统的GaAs将具有绝对的优势。

2013年美国高通公司掀起了一场声势浩大的"数字RF"革命,为中国的RF器件厂商进入LTE/4G市场有规可循,其跟随Skyworks等大厂的技术的规范,借着管脚兼容的机会,以低成本替代欧美厂商的4G RF模块。

2016年底,黄风义团队历经10多年研究探索,在深亚微米、超高速晶体管的射频模型结构中发现了新的沟道效应,突破了被国际产业界沿用30多年的核心沟道单元。此项成果发表在《电子器件快报》。

2018年5月15日,由上海市"千人计划"专家黄风义博士创办的爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司近日发布三款芯片,显示本土企业在射频收发系统集成电路芯片(RF SoC)设计开发方面取得重要进展。三款自主设计并开发的核心芯片涵盖宽频带、可重构及高宽带等芯片,主要瞄准中高端应用的射频芯片市场,可广泛应用于第五代移动通讯(5G)、超高速无线物联网、射频传感器、卫星通信以及特种专用高宽带通信、导航、雷达等系统。

2018年5月23日,广州中海达卫星导航技术股份有限公司正式发布其自主研发、具有完全自主知识产权的北斗射频芯片"恒星一号"。"恒星一号"芯片是中海达在北斗高精度芯片技术研发上取得的重大突破,它适用于中国北斗、美国GPS、欧洲伽利略、俄罗斯格罗纳斯这四大卫星导航系统所有频点,可实现对全球所有卫星导航星座的全频带兼容。全面替代了原国外芯片在国产高精度板卡上的应用,突破了外国厂商的核心部件供应限制,促进终端产品成本上升。

现阶段,全球射频芯片市场主要被美日传统企业占据。根据2015年5月国务院发布的《中国制造 2025》,"到2020年,40%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障","到2025年,70%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障",提出中国的芯片自给率要不断提升。在这一过程中,射频芯片行业因产品广泛应用于通信系统行业战略地位将逐步提升,国内的射频芯片厂商亦迎来巨大发展机会,在全球市场的占有率有望大幅提升。

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