第三代半导体器件已初步具备产业化应用条件。千讯咨询发布的中国半导体器件市场前景调查分析报告显示，目前全球有超过30家公司在电力电子领域拥有对SiC、GaN相关产品的生产、设计、制造与销售能力，但市场上能够批量稳定提供SiC、GaN产品的不超过1/3。全球第三代半导体电力电子产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。GaN电力电子方面美国拥有较为完整产业链，在外延、器件及应用环节有Transform、EPC、GaN system、Powerex等企业。
在射频微波领域，目前全球约有超过30家企业已经从事GaN的研发生产，其中10家左右已经实现了GaN的量产化和商业化。2016年，有5家企业进入该领域，且基本为中国企业，有2家退出，主要是Cree和NXP因出售相关业务退出了。美国、欧洲、日本等在军事雷达和无线基站通信方面走在世界前列。
与国际领先水平相比，我国在第三代半导体衬底、外延材料、器件的整体技术水平落后3年左右；在第三代半导体光电子领域，LED技术水平已接近国际先进水平；在第三代半导体微电子应用方面，日、美、欧在地铁机车、新能源汽车、白色家电、光伏逆变器、雷达等领域开展了规模应用，而我国只在光伏逆变器、PFC电源、UPS、军用雷达等领域有小规模应用。
到2016年，我国才初步形成较完整创新研发和产业化体系。我国开展第三代半导体材料相关研究的国家重点实验室、国家工程中心、国家工程实验室20余家，各类国家级产业化基地、试点城市超过50家。上、中、下游及设计、配套等各环节均开始出现一些优秀厂商，初步形成了较为完整的产业链。
影响第三代半导体器件行业产能产量的因素主要包括：行业生产技术、国内外市场需求、产品价格、行业政策等。当市场需求增加时，主要生产企业会据此合理的安排开工率，增加产量；并出于对市场需求预期，增加投资扩大产能。
对于我国而言，最显著的影响为行业生产技术。我国对第三代半导体行业的研究较晚，远落后与国际行业水平，国际市场已经形成了以美国、日本和欧洲三足鼎立的局面。2016年我国启动了"十三五"国家重点研究计划"战略性先进电子材料"重点专项的组织实施工作，第三代半导体材料与半导体照明作为重点专项中最重要的研究领域，得到了国家层面的重点支持，以全链条部署、一体化实施的组织模式部署了11个研究方向，并在2016年和2017年分两批启动。2016年度启动的6个方向正式立项并取得阶段性研究成果，2017年度启动的5个方向已经完成预评审工作，预计2017年6月将完成立项工作。国家战略布局大环境影响下，行业相关企业纷纷加大第三代半导体器件研发投入和力度，从而将推动我国第三代半导体器件行业产值不断提升。
随着国家"十三五"战略和第三代半导体产业链布局的全面落实，我国第三代半导体器件生产技术不断提升，行业产能不断增加，将形成追赶模式，逐渐在第三代半导体器件领域占据一定的地位和市场影响力。
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