我国开展第三代半导体器件方面的研究工作比较晚，国内只有少数企业成功开发SiC和GaNk材料及器件，GaN微波器件和SiC功率器件于2013年进入小批量生产阶段。
千讯咨询发布的中国半导体器件市场前景调查分析报告显示，2012年我国第三代半导体器件产值达1.19亿元；2013年我国第三代半导体器件产值达2.30亿元，同比增长92.37%；2014年我国第三代半导体器件产值达3.81亿元，同比增长65.88%；2015年我国第三代半导体器件产值达5.67亿元，同比增长48.80%；2016年我国第三代半导体器件产值达7.62亿元，同比增长34.51%。
随着我国开展第三代半导体材料相关研究的国家重点实验室、国家工程中心、国家工程实验室20余家，各类国家级产业化基地、试点城市超过50家。上、中、下游及设计、配套等各环节均开始出现一些优秀厂商，初步形成了较为完整的产业链。在SiC器件环节有泰科天润已经形成一定产出，同时扬州扬杰电子、世纪金光、中电55所、13所、国家电网、株洲南车等均在SiC电力电子全产业链体系进行了布局；GaN电力电子器件方面，苏州能讯、江苏能华、杭州士兰微、江苏华功半导体均已进入布局。GaN射频电子方面，台湾台积电和稳懋是目前国内企业代工的主要平台，三安光电、苏州能讯已经布局，而中电13所、55所、29所（海特高新）已经在军用领域占据优势。
2016年是我国第三代半导体产业发展"元年"。据初步统计，2016年我国第三代半导体产业的整体规模约为5228亿元，其中电力电子产值规模7200万元，微波射频产值规模10.9亿元，光电（主要为半导体照明）产业规模超过5200亿元。产值主要集中在下游应用方面，对于上游材料和中游器件的行业产出还有待加强。2016年我国第三代半导体器件行业产值为7.62亿元，同比增长34.51%。
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