以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源和电力电子、微波射频器件的"核芯",在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。我国在电力电子应用领域对SiC和GaN电力电子器件有显著需求。目前我国是电力电子器件全球最大应用市场,在消费类电子、白色家电、工业电机等领域对电力电子器件和设备有巨大市场潜力;另外,近期国家大力发展的智能电网、新能源电力并网,新能源汽车、大数据中心和移动通讯基站等均需大量高性能的第三代半导体电力电子器件和装备做高效率电能转化,市场需求旺盛。2016年我国第三代半导体器件市场规模为20.90亿元,同比增长28.14%,市场规模受产品价格及行业产出局限影响较大。
千讯咨询发布的中国半导体器件市场前景调查分析报告显示,2012年我国第三代半导体器件市场规模达8.36亿元;2013年我国第三代半导体器件市场规模达10.25亿元,同比增长22.61%;2014年我国第三代半导体器件市场规模达12.82亿元,同比增长25.07%;2015年我国第三代半导体器件市场规模达16.31亿元,同比增长27.22%;2016年我国第三代半导体器件市场规模达20.90亿元,同比增长28.14%。
目前,我国的第三代半导体器件行业市场增长力高,需求增长较快,技术变动较大,行业中的用户主要致力于开辟新用户、占领市场,但此时技术上有很大的不确定性,在产品、市场、服务等策略上有很大的余地,行业发展仍处于起步阶段。同时对比国际行业发展情况,我国第三代半导体产业正处于快速发展追赶状态,正逐步向成长期过渡。
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